| 型号： | NTJD1155LT1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| NTJD1155LT1G PDF |  |
| 产品目录绘图 | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装 | 10 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | NTJD1155LT1GOSDKR |